Схема электропитания
ОПИСАНИЕ
В шасси MX-5 применяется схема питания в виде преобразователя эммитерного инвертора
(ЕСС) дискретного
типа. Схема питания ЕСС является схемой асинхронного типа, которая не синхронизирована
с частотой горизонтальной развертки (fh).
Как в режиме нормальной работы так и в дежурном режиме схема питания ЕСС находится
в свободном рабочем состоянии. При этом не используются никакие импульсы строчного
трансформатора FBT. Для ремонта телевизионных схем, магазин далинком предлагает различные современные электронные компоненты - транзисторы, диоды, конденсаторы, и другие.
Схема запуска
Запускающее смещение в этой схеме создается путем подачи его через резисторы
R803, R804, R805 на базу переключающего транзистора Q801. При помощи диода D803
в точке соединения резисторов R804 и R805 фиксируется напряжение, а следовательно
и ток запуска. Ток запуска инициирует работу транзистора Q801. Благодаря наличию
фиксирующего диода D803 условия подачи смещения одни и те же, независимо от
входного напряжения переменного тока (от 110в до 240в).
Транзистор Q801 запирается током базы, поступающим с обмотки B1 через резистор
R806 и конденсатор C816. В то же самое время конденсатор C817 заряжается током
с обмотки B1 через резистор R811.
Когда напряжение VBE достигается приблизительно 0,7в, то транзистор Q802 включается
(ON), а транзистор Q801 выключается (OFF). Когда транзистор Q81 выключается
(OFF), конденсатор C823 заряжается током, который поступает через диод D817
от энергии, запасенной в трансформаторе T801. Затем эта энергия, накопленная
в трансформаторе T801, подается на выход через диод D817. Транзистор Q81 включается
(ON) и поддерживается в этом состоянии при помощи наведенного напряжения, которое
генерируется в обмотке B1 трансформатора T801.
Схема з апускающих импульсов
- При начальной подаче питания управление временем включения (ON) транзистора Q801 осуществляется конденсатором C817, который постепенно заряжается.
- Когда транзистор Q801 выключен (OFF) и конденсатор C817, в зависимости от выходного напряжения, заряжается отрицательным напряжением от обмотки B1.
- При увеличении времени зарядки конденсатора C817 удлиняется время включения (ON) транзистора Q801.
- Однако флуктуации этого напряжения обмотки весьма значительны. Напряжение
обмотки В1 (VBIP ) можно выразить при помощи следующей формулы:
Vbip=[Vdc(in)-Vo] x B1
Отношение максимального значения входного переменного тока к минимальному значению равно, приблизительно, 8. - Поэтому, если ток запускающего импульса поступает прямо с обмотки В1, то
возникают значительные потери энергии. Для того, чтобы уменьшить эти энергетические
потери, обеспечивается постоянный по значению ток запускающего импульса. Для
этого в состав схемы включены обмотки Вз, диод D816 и конденсатор С818.
Напряжение обмотки Вз пропорционально выходному напряжению (90в). Величина Vвз задается при помощи
следующей формулы:
Vb3=Vo x B3=90x4T=8.4V
Напряжение обратной связи, сформированное на обмотке В1, подает ток базы на транзистор Q801 через резистор R816, конденсатор C821 и транзистор Q803. Когда транзистор Q801 выключен (OFF), то на обмотке Вз создается положительное напряжение, которое через резистор R817 подается на базу транзистора Q804 и включает (ON) его. Тем самым на транзистор Q803 подается запирающее (OFF) смещение. Этот элемент замыкает схему запуска.
Конденсатор C820 обеспечивает задержку включения (ON) транзистора Q801 путем изменения времени зарядки. А диод D815 является быстродействующим фиксирующим диодом, который позволяет избежать возникновения любого высокого напряжения между эмиттером и базой транзистора Q804.
Работа схемы ОСР
- Схема ОСР управляет максимальным временем включения (ON) транзистора Q801. Это достигается путем регулирования тока Ic транзистора Q801 и тем самым обеспечивается максимальная выходная мощность.
- Когда транзистор Q801 включен (ON), обмотка В1 выдает положительное напряжение (V BIP), пропорциональное входному напряжению. Когда транзистор Q801 выключен (OFF), выдается отрицательное напряжение в соответствии с входным напряжением (V BIN ).
- Соотношение между VBIP и VBIN можно выразить при помощи следующей формулы:
Vbip=[Vdc(in)-Vo] x B1
Vbip=-Vo x B1
- Когда транзистор Q801 включен (ON), на первичной обмотке возникает положительное напряжение и конденсатор C817 заряжается положительно. Это напряжение достигает значения приблизительно 0,7в, поступает на базу транзистора Q802 и включает (ON) его, и следовательно выключает (OFF) транзистор Q801.
- Когда транзистор Q801 выключен (OFF), на обмотке B1 возникает отрицательное напряжение и конденсатор C817 заряжается отрицательным зарядом.
- Если ток заряда конденсатора C817 отсутствует (ток обратной связи с диода D821), то максимальное время включения определяется постоянной времени цепочки R811 и C817.
- При возрастании входного напряжения пропорционально возрастает и напряжение в обмотке В1. Когда напряжение VBIP достигает приблизительно 16в, ток начинает протекать по цепи R810, D805 и D804, и положительное напряжение на конденсаторе C817 возрастает. Благодаря этому время включения (ON) транзистора Q801 становится короче и осуществляется управление выходным напряжением.
Управление выходом
Стабилизация выходного напряжения +В на уровне +90в осуществляется при помощи тока обратной связи, протекающего через диод D821 и интегральную схему IC801 к конденсатору C817.
Работа в дежурном режиме
- Переключение из нормального режима (ON) в дежурный режим осуществляется при помощи транзистора Q851.
- Когда напряжение базы транзистора Q851находится на высоком уровне, то транзистор Q850 выключен (OFF) и схема обратной связи дежурного режима не функционирует.
- Когда напряжение базы транзистора Q851 находится на низком уровне, то транзистор Q850 включен (ON). Начинает работать схема обратной связи дежурного режима и работает схема детектирования дежурного режима.
Схема управления дежурным режимом
- Когда напряжение базы транзистора Q850 на высоком уровне, то напряжение V диода D851 плюс напряжение VBE транзистора Q850 обеспечивает протекание тока коллектора транзистора Q850 через оптрон D840.
- Конденсатор C817 быстро заряжается коллекторным током транзистора через этот фотодиод D840. В результате время включения (ON) транзистора Q801 становится короче, обеспечивая тем самым регулирование выходного напряжения.
- Схема детектора дежурного режима использует канал питания +22в. В дежурном
режиме 22в этого канала уменьшается до 6,5в. Это можно выразить при помощи
следующей формулы:
V(STD-BY) =[V D 851+V BE Q850]*D852+R857 = 6.5 B
- Резистор R851 служит ограничителем тока для диода D840. Резистор R850 является сопротивлением защиты для диода D851. В дежурном режиме через резистор R850 протекает ток 2,7mA. Во время дежурного режима напряжение в канале +90в уменьшается приблизительно до 30в. Однако, благодаря индуктивности утечки трансформатора Т801, это напряжение может быть ниже 30в. Для того, чтобы получить стабильные условия питания в 30в во время дежурного режима, в схему добавляются эквивалентные нагрузочные резисторы R820 и R821.
Блок микропроцессора (MPU) | Схема настройки | Интегральная схема на одном чипе IC601 | VIP (Промежуточная частота видеосигнала) | SIF (промежуточная частота аудиосигнала) | Сигнал яркости | Сигнал цветности | Схема отклонения луча | Схема защиты | Схема телетекста | Схема электропитания | Индекс сокращений и надписей, используемых в схемах