Схема электропитания

 

 

ОПИСАНИЕ

В шасси MX-5 применяется схема питания в виде преобразователя эммитерного инвертора (ЕСС) дискретного
типа. Схема питания ЕСС является схемой асинхронного типа, которая не синхронизирована с частотой горизонтальной развертки (fh).
Как в режиме нормальной работы так и в дежурном режиме схема питания ЕСС находится в свободном рабочем состоянии. При этом не используются никакие импульсы строчного трансформатора FBT. Для ремонта телевизионных схем, магазин далинком предлагает различные современные электронные компоненты - транзисторы, диоды, конденсаторы, и другие.

Схема запуска

Запускающее смещение в этой схеме создается путем подачи его через резисторы R803, R804, R805 на базу переключающего транзистора Q801. При помощи диода D803 в точке соединения резисторов R804 и R805 фиксируется напряжение, а следовательно и ток запуска. Ток запуска инициирует работу транзистора Q801. Благодаря наличию фиксирующего диода D803 условия подачи смещения одни и те же, независимо от входного напряжения переменного тока (от 110в до 240в).
Транзистор Q801 запирается током базы, поступающим с обмотки B1 через резистор R806 и конденсатор C816. В то же самое время конденсатор C817 заряжается током с обмотки B1 через резистор R811.
Когда напряжение VBE достигается приблизительно 0,7в, то транзистор Q802 включается (ON), а транзистор Q801 выключается (OFF). Когда транзистор Q81 выключается (OFF), конденсатор C823 заряжается током, который поступает через диод D817 от энергии, запасенной в трансформаторе T801. Затем эта энергия, накопленная в трансформаторе T801, подается на выход через диод D817. Транзистор Q81 включается (ON) и поддерживается в этом состоянии при помощи наведенного напряжения, которое генерируется в обмотке B1 трансформатора T801.

Схема з апускающих импульсов
  1. При начальной подаче питания управление временем включения (ON) транзистора Q801 осуществляется конденсатором C817, который постепенно заряжается.
  2. Когда транзистор Q801 выключен (OFF) и конденсатор C817, в зависимости от выходного напряжения, заряжается отрицательным напряжением от обмотки B1.
  3. При увеличении времени зарядки конденсатора C817 удлиняется время включения (ON) транзистора Q801.
  4. Однако флуктуации этого напряжения обмотки весьма значительны. Напряжение обмотки В1 (VBIP ) можно выразить при помощи следующей формулы:

    Vbip=[Vdc(in)-Vo] x B1

    Отношение максимального значения входного переменного тока к минимальному значению равно, приблизительно, 8.
  5. Поэтому, если ток запускающего импульса поступает прямо с обмотки В1, то возникают значительные потери энергии. Для того, чтобы уменьшить эти энергетические потери, обеспечивается постоянный по значению ток запускающего импульса. Для этого в состав схемы включены обмотки Вз, диод D816 и конденсатор С818.
    Напряжение обмотки Вз пропорционально выходному напряжению (90в). Величина Vвз задается при помощи
    следующей формулы:

    Vb3=Vo x B3=90x4T=8.4V

    Напряжение обратной связи, сформированное на обмотке В1, подает ток базы на транзистор Q801 через резистор R816, конденсатор C821 и транзистор Q803. Когда транзистор Q801 выключен (OFF), то на обмотке Вз создается положительное напряжение, которое через резистор R817 подается на базу транзистора Q804 и включает (ON) его. Тем самым на транзистор Q803 подается запирающее (OFF) смещение. Этот элемент замыкает схему запуска.
    Конденсатор C820 обеспечивает задержку включения (ON) транзистора Q801 путем изменения времени зарядки. А диод D815 является быстродействующим фиксирующим диодом, который позволяет избежать возникновения любого высокого напряжения между эмиттером и базой транзистора Q804.

Работа схемы ОСР

  1. Схема ОСР управляет максимальным временем включения (ON) транзистора Q801. Это достигается путем регулирования тока Ic транзистора Q801 и тем самым обеспечивается максимальная выходная мощность.
  2. Когда транзистор Q801 включен (ON), обмотка В1 выдает положительное напряжение (V BIP), пропорциональное входному напряжению. Когда транзистор Q801 выключен (OFF), выдается отрицательное напряжение в соответствии с входным напряжением (V BIN ).
  3. Соотношение между VBIP и VBIN можно выразить при помощи следующей формулы:

    Vbip=[Vdc(in)-Vo] x B1


    Vbip=-Vo x B1

  4. Когда транзистор Q801 включен (ON), на первичной обмотке возникает положительное напряжение и конденсатор C817 заряжается положительно. Это напряжение достигает значения приблизительно 0,7в, поступает на базу транзистора Q802 и включает (ON) его, и следовательно выключает (OFF) транзистор Q801.
  5. Когда транзистор Q801 выключен (OFF), на обмотке B1 возникает отрицательное напряжение и конденсатор C817 заряжается отрицательным зарядом.
  6. Если ток заряда конденсатора C817 отсутствует (ток обратной связи с диода D821), то максимальное время включения определяется постоянной времени цепочки R811 и C817.
  7. При возрастании входного напряжения пропорционально возрастает и напряжение в обмотке В1. Когда напряжение VBIP достигает приблизительно 16в, ток начинает протекать по цепи R810, D805 и D804, и положительное напряжение на конденсаторе C817 возрастает. Благодаря этому время включения (ON) транзистора Q801 становится короче и осуществляется управление выходным напряжением.
Управление выходом

Стабилизация выходного напряжения +В на уровне +90в осуществляется при помощи тока обратной связи, протекающего через диод D821 и интегральную схему IC801 к конденсатору C817.

Работа в дежурном режиме
  1. Переключение из нормального режима (ON) в дежурный режим осуществляется при помощи транзистора Q851.
  2. Когда напряжение базы транзистора Q851находится на высоком уровне, то транзистор Q850 выключен (OFF) и схема обратной связи дежурного режима не функционирует.
  3. Когда напряжение базы транзистора Q851 находится на низком уровне, то транзистор Q850 включен (ON). Начинает работать схема обратной связи дежурного режима и работает схема детектирования дежурного режима.
Схема управления дежурным режимом
  1. Когда напряжение базы транзистора Q850 на высоком уровне, то напряжение V диода D851 плюс напряжение VBE транзистора Q850 обеспечивает протекание тока коллектора транзистора Q850 через оптрон D840.
  2. Конденсатор C817 быстро заряжается коллекторным током транзистора через этот фотодиод D840. В результате время включения (ON) транзистора Q801 становится короче, обеспечивая тем самым регулирование выходного напряжения.
  3. Схема детектора дежурного режима использует канал питания +22в. В дежурном режиме 22в этого канала уменьшается до 6,5в. Это можно выразить при помощи следующей формулы:

    V(STD-BY) =[V D 851+V BE Q850]*D852+R857 = 6.5 B


  4. Резистор R851 служит ограничителем тока для диода D840. Резистор R850 является сопротивлением защиты для диода D851. В дежурном режиме через резистор R850 протекает ток 2,7mA. Во время дежурного режима напряжение в канале +90в уменьшается приблизительно до 30в. Однако, благодаря индуктивности утечки трансформатора Т801, это напряжение может быть ниже 30в. Для того, чтобы получить стабильные условия питания в 30в во время дежурного режима, в схему добавляются эквивалентные нагрузочные резисторы R820 и R821.

 

Содержание:

Блок микропроцессора (MPU) | Схема настройки | Интегральная схема на одном чипе IC601 | VIP (Промежуточная частота видеосигнала) | SIF (промежуточная частота аудиосигнала) | Сигнал яркости | Сигнал цветности | Схема отклонения луча | Схема защиты | Схема телетекста | Схема электропитания | Индекс сокращений и надписей, используемых в схемах